BSC014N06NSATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC039N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC014N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 156 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
پنز کی تعداد — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں