BSC016N06NSATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC016N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC066N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC016N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC 26 nC (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.7 V (typ)
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 60 V trench-gate
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 256 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +150°C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں