BSC019N08NS5ATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC019N08NS5ATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
پیکیج PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
پن کی تعداد — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں