BSC0902NSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0902NSATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) —
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
ہیلوجن فری Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — 1 (unlimited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں