BSC098N10NS5ATMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC098N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R065P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 - 100V 60A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC098N10NS5ATMA1 | IPL60R065P7AUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 9.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 69 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 63 A (Tc=25C) | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 240 A (Tc=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Technology Family | — | CoolMOS™ P7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 41 A |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 65 mΩ (max) |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 201 W |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) | — | 2895 pF |
| Rise Time (t<sub>r</sub>) | — | 7 ns |
| Fall Time (t<sub>f</sub>) | — | 4 ns |
| پنز کی تعداد | — | 4 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Polarity | — | Single N-channel |
| Drain to Source Voltage | — | 650 V (rating per AiEMA spec) |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) | — | 0.053 Ω |
| ہیلوجن فری | — | Yes |