BSC120N03LSGATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSO150N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC120N03LSGATMA1 BSO150N03MDGXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55C to +150C
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں