BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6906XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSO613SPVGXUMA1 بذریعہ Infineon اور BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSO613SPVGXUMA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -3.44 A | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| پیکیج | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Trench) | SIPMOS (planar high-voltage) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) | -55C to +150C |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] | — |
| MSL لیول | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon OptiMOS family) | — |
| پن کی تعداد | 8 (6 active, 2 thermal/NC) | 4 (3 leads + drain tab) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |