BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC050NE2LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 25V (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55C to +150C
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 58 A
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C — 39 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5 mOhm
R_DS(on) typical at V_GS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 28 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں