BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ017NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ0501NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 50 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں