BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ031NE2LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0501NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0501NSIATMA1
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں