BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ070N08LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ070N08LS5ATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 74 A (Tc, per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA / Si | [DATA_NEEDED: TA-rated ID] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 7 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (drive compatible with 4.5 V) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Power Dissition PD max at TC | 69 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Reel Quantity | 5000 per 13-inch reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |