BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6L012ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ110N08NS5ATMA1 | IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 6 40V |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (junction) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | 1.2 mΩ (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 115 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Delivery Form | — | Tape & Reel |