BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ110N08NS5ATMA1 bằng Infineon và IAUC120N04S6L012ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ110N08NS5ATMA1 | IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 6 40V |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | 1.2 mΩ (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 115 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Delivery Form | — | Tape & Reel |