H5AN8G6NDJR-UHC vs MT40A512M16JY-075E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-UHC بذریعہ SK hynix اور MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR-UHC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| پیکیج | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| میموری سائز | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| خصوصیات | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |