IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC100N04S6L025ATMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Pb-free green finish) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |