IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUC120N04S6L009ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N04S6L005ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 - 40V 120A 0.55mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC120N04S6L005ATMA1 | IAUC120N04S6L009ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUC120N04S6L005ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A (Tj) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 187 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 0.55 mΩ at 60 A | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | 0.85 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 177 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11.203 nF at 25 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.982 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 175 pF | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 A (per datasheet header) |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 0.9 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate Charge Q<sub>g</sub> | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 W |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | — | Yes |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy E<sub>AS</sub> | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |