IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N04S6L012ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6N044ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC120N04S6L012ATMA1 | IAUC60N04S6N044ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | 1.2 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 115 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) | PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Delivery Form | Tape & Reel | — |
| Technology | — | OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C | — | 60 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C | — | [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 4.4 mΩ |
| On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: typical gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C | — | 42 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |