IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC50N08S5N102ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L015ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | -55C to +175C (Tj) |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-33 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |