IAUCN04S7L019ATMA1 vs IAUC120N04S6L009ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L019ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7L019ATMA1 | IAUC120N04S6L009ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V | 1.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-33 | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] | — |
| تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ | [DATA_NEEDED: RthJA value] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 pieces | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel 13") | — |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 A (per datasheet header) |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 0.9 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate Charge Q<sub>g</sub> | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | — | Yes |
| Avalanche Energy E<sub>AS</sub> | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |