IAUCN04S7L019ATMA1 vs IAUC120N04S6L009ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L019ATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N04S6L009ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7L019ATMA1 | IAUC120N04S6L009ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V | 1.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] | — |
| מארז | PG-TDSON-8-33 | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] | — |
| התנגדות תרמית, צומת לסביבה | [DATA_NEEDED: RthJA value] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 pieces | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel 13") | — |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 A (per datasheet header) |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 0.9 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate Charge Q<sub>g</sub> | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מספר פינים | — | 8 |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | — | Yes |
| Avalanche Energy E<sub>AS</sub> | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |