IGLR70R200D2SXUMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLR70R200D2SXUMA1 ISC015N06NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +150 °C -55 C to +175 C
پیکیج PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
RoHS Compliant —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں