IPA60R180P7SXKSA1 vs IPD80R600P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R600P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPA60R180P7SXKSA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | 3 V (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| پیکیج | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |