IPB110P06LMATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ068N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB110P06LMATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| پیکیج | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| MSL لیول | — | MSL1 |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |