IPB110P06LMATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB110P06LMATMA1 bằng Infineon và BSZ068N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB110P06LMATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Hộp / Vỏ | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Hộp | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Cấp MSL | — | MSL1 |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |