IPD038N06NF2SATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD038N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD038N06NF2SATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.85 mΩ max | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 68 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6700 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 670 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 43 pF | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |