IPD038N06NF2SATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD038N06NF2SATMA1 bằng Infineon và BSZ024N04LS6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD038N06NF2SATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.85 mΩ max | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 68 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6700 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 670 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 43 pF | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |