IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD70N10S312ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T Power-Transistor |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| MSL لیول | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 65 nC @ 10 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |