IQD009N06NM5ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD009N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQD009N06NM5ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 445 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| RDS(on) Maximum | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 FL |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 6 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |