IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD020N10NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |