IQD063N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD063N15NM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQD063N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 151 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 14.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 5.1 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.32 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 V (max) —
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V 48 nC —
Input Capacitance (Ciss) 3.6 nF —
Output Capacitance (Coss) 900 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 333 W —
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C 3 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55C to +150C (junction)
پیکیج PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V
Technology — OptiMOS 5, Source-Down

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں