IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| پیکیج | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |