IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE065N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |