IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 |