IRFR3411TRPBF vs IRFR4615TRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3411TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR3411TRPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| سنگل پلس ایوالانچ انرجی | — | 109 mJ |