IRLZ44NPBF vs IRL540NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ44NPBF بذریعہ Infineon اور IRL540NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRL540NPBF IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ44NPBF IRL540NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A 130 A (pulsed)
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) 1 V to 2 V (logic level)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (Planar DMOS)
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRL540NPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-16 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 36 A
On-Resistance RDS(on) max — 44 mOhm at VGS=5V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں