ISC037N12NM6ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC037N12NM6ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |