ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC078N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |