K3LK4L40DM-BGCT vs MT40A256M16GE-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K3LK4L40DM-BGCT بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A256M16GE-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ فعالMicron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K3LK4L40DM-BGCT | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.95 |
| میموری ٹائپ | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| ڈیٹا ریٹ | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| پیکیج | — | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |