K4A4G165WE-BCTD vs MT40A256M16GE-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A256M16GE-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WE-BCTD | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.95 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel, x16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| پیکیج | FBGA-96 (TFBGA) | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Terminal Count | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |