K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps/pin | DDR3-1600 (800 MHz) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tcase) | 0°C to +95°C (TC) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (at 1600 Mbps) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |