K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646D-BYH90 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK000 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYH90 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | 8 |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| پیکیج | 96-FBGA (BYK) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2133 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Interface | — | x16 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |