K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125:K موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK000 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K128M16JT-125:K بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K128M16JT-125:K |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 128M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz (1600 MT/s data rate) |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| پیکیج | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Memory Capacity | — | 2 Gbit |
| Access Time (Clock Cycle) | — | 13.75 ns |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Write Leveling | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |