K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646F-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (TC) | 0°C to +95°C (TC) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |