MRF5S21045NBR1 vs MRF6S18100NBR1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF5S21045NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S18100NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF5S21045NBR1 | MRF6S18100NBR1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | Obsolete |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Frequency Band | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Test Frequency | 2.12 GHz | 1.99 GHz |
| Output Power (Avg) | 10 W | — |
| Power Gain | 14.5 dB (typical at 2.12 GHz, 28 V) | — |
| Drain-Source Voltage (Max Rated) | 68 V | — |
| Test Supply Voltage (Vdd) | 28 V | — |
| Test Current | 500 mA | — |
| پیکیج | TO-272 WB-4 (over-molded plastic) | — |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 | TO-272 WB-4 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount / Flange Mount |
| Operating Mode | Class AB | Class AB / Class C (per design) |
| Application | W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multicarrier amplifier | RF Power Amplifier (GSM/GSM EDGE base station) |
| Technology | Laterally Diffused MOS (LDMOS) | — |
| Compliance | RoHS (status per distributor listing - confirm at order) | — |
| Manufacturer | NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Frequency Range | — | 1805 MHz to 1990 MHz |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 68 V |
| Test Supply Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Test Drain Current | — | 900 mA |
| Output Power (Pout) | — | 100 W |
| Power Gain (Gps) | — | 14.5 dB (typical at 1.99 GHz) |
| Drain Efficiency | — | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] |
| پیکیج / کیس | — | TO-272 WB-4 |
| Configuration | — | Single, common-source |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per NXP product page) |