MRFE6S9160HR3 vs MRF6S9160HSR3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRFE6S9160HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S9160HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRFE6S9160HR3 | MRF6S9160HSR3 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | آخری بار خریداری |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) | — |
| Drain-Source Voltage (V DSS) | 70 V (max) | — |
| Drain Current (continuous) | [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Drain Supply Voltage (V DD) | 28 V (typical) | — |
| Output Power (Average) | 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) | — |
| Output Power (PEP) | [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] | — |
| Power Gain (G ps / G p) | 21 dB (typical at 880 MHz) | — |
| Drain Efficiency | 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) | 31% typical at 880 MHz |
| پیکیج / کیس | NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) | Flange / Chassis Mount with screw holes |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40C to +150C (junction) | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Thermal Resistance (R thJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] | — |
| Input Match | Internally matched input (broadband) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | Not applicable (non-SMD air-cavity package) | — |
| Application | — | RF Power Amplifier |
| Operating Frequency | — | 865 MHz to 960 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 68 V |
| Operating Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Test Bias Current (IDQ) | — | 1.2 A |
| Output Power (Pout, Avg.) | — | 35 W Avg. |
| Power Gain | — | 20.9 dB typical at 880 MHz |
| ACPR @ 750 kHz Offset | — | -46.8 dBc (N-CDMA) |
| پیکیج | — | NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount |
| Lead-Free Status | — | Lead free (HSR3 suffix) |
| Designed Waveforms | — | N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier |