MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NDJR-XNC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16JY-075E H5AN8G6NDJR-XNC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $55.68
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz —
ڈیٹا ریٹ 2666 MT/s 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
انٹرفیس Parallel —
پیکیج 96-FBGA (8x14) FBGA-96 (13x7.5 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
خصوصیات Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں