1ED3890MC12MXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1ED3890MC12MXUMA1 bằng Infineon và 1ED3124MC12HXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver, ±9A | Infineon
1ED3890MC12MXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1ED3890MC12MXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Peak Output Current (Source/Sink) | ±9 A | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Cấu hình đầu ra | High-Side Non-Inverting | — |
| Hộp | PG-DSO-16-28 (16-pin wide-body DSO) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Isolation Technology | Coreless transformer (galvanic) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Configurable Interface | I2C (DESAT, UVLO, drive voltage) | — |
| Protection Features | DESAT short-circuit, Active Miller clamp, Soft Turn-Off (STO), UVLO | — |
| Target Power Devices | IGBT, SiC MOSFET, MOSFET | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | [DATA_NEEDED: CMTI rating] | — |
| Supply Voltage (VCC side) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Output Drive Voltage (VOUT) | [DATA_NEEDED: VOUT range] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Số lượng đầu ra | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 15 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 30 ns |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |