BSC019N04NSGATMA1 vs BSC0901NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC019N04NSGATMA1 bằng Infineon và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC019N04NSGATMA1 BSC0901NSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55C to +150C
Hộp PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá