BSC028N06NSTATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC028N06NSTATMA1 bằng Infineon và BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC028N06NSTATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC028N06NSTATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number Base | BSC028N06NS | — |
| Technology | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 37 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] | — |
| Output Capacitance Coss | 825 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 56 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |