BSC039N06NSATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC039N06NSATMA1 bằng Infineon và IAUZ30N06S5L140ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC039N06NSATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C -55°C to +175°C
Hộp PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Trạng thái RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 12.2 nC @ VGS=10 V
Output Capacitance (Coss) — 888 pF @ VDS=30 V
Technology Family — OptiMOS 5
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá